✔ Pembuatan [ Pabrikasi ] Transistor

Pembuatan [ Pabrikasi ] Transistor Terdapat dua jenis kontruksi dasar transistor bipolar, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p. Untuk jenis n-p-n, transistor bipolar terbuat dari lapisan tipis semikonduktor tipe-p dengan tingkat doping yang relatif rendah, yang diapit oleh dua lapisan semikonduktor

tipe-n. Karena alasan sejarah pembuatannya, bab di tengah disebut “basis” (base), salah satu bab tipe-n (biasanya mempunyai dimensi yang kecil) disebut “emitor” (emitter) dan yang lainya sebagai “kolektor” (collector).

Susunan Lapisan Dan Simbol Transistor

Tanda panah pada gambar diatas menunjukkan kaki emitor dan titik dari material tipe-p ke material tipe-n. Perhatikan bahwa untuk jenis n-p-n, transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku ibarat diode. Setiap diode sanggup diberi bias maju atau dibias mundur, sehingga transistor sanggup mempunyai empat modus pengoperasian. Salah satu modus yang banyak dipakai disebut “modus normal”, yaitu sambungan emitor-basis berbias maju dan sambungan kolektor-basis berbias mundur. Modus ini juga sering disebut sebagai pengoperasian transistor pada “daerah aktif”.

Proses Pembuatan (Pabrikasi) Transistor 

Pembuatan (pabrikasi) transistor bipolar sanggup dilakukan dengan dua teknik, yaitu struktur transistor-alloy melalui difusi dan struktur transistor planar. Gambar dibawah menunjukkan struktur transistoralloy n-p-n. Kolektor terbuat dari chip semikonduktor tipe-n dengan ketebalan kurang dari 1 mm2. Daerah basis dibentuk dengan proses difusi kemudian dibentuk kontak logam untuk dihubungkan dengan kaki basis. Daerah emitor dibentuk dengan teknik alloy pada tempat basis. Sebagai balasannya berupa sebuah pasangan sambungan p-n yang dipisahkan oleh tempat basis kira-kira setebal kertas.

Untuk struktur planar, suatu lapisan tipe-n dengan tingkat doping rendah ditumbuhkan di atas substrat n+ (tanda + menunjukkan tingkat doping sangat tinggi). Setelah melalui proses oksidasi pada permukaan, sebuah jendela (window) dibuka dengan proses penggerusan (etching) dan suatu pengotor (p) dimasukkan ke kristal dengan proses difusi untuk membentuk sambungan (junction). Sekali lagi sehabis melalui reoksidasi, sebuah jendela kecil dibuka untuk proses difusi pembentukan tempat emitor (n).

Sambungan Transistor Bipolar NPN

Secara konvensional simbol transistor n-p-n diperlihatkan pada gambar diatas dilengkapi dengan tanda panah pada emitor yang menunjukkan pedoman muatan positif. Walaupun sebuah transistor n-p-n akan bekerja dengan kedua tempat n sanggup berfungsi sebagai emitor, namun alasannya yaitu kedua tempat mempunyai tingkat doping dan geometri yang berbeda, maka tempat n yang dimaksud harus diberi label.cukup sekian biar bermanfaat.

Bagikan Artikel ini