✔ Field Effect Transistor / Eet

Field Effect Transistor / EET atau sering disebut sebagai transistor imbas medan mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar.

Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut ialah bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), sebab arus input ialah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.

atau sering disebut sebagai transistor imbas medan mempunyai fungsi yang hampir sama denga ✔ Field Effect Transistor / EET

Konstruksi fisik JFET dan simbol JFET

FET mempunyai 3 terminal yaitu Source(S), Drain(D), dan Gate(G). Source ialah terminal daerah pembawa muatan lebih banyak didominasi masuk ke saluran untuk menyediakan arus melalui kanal. Drain ialah terminal arus meninggalkan kanal. Gate ialah elektroda yang mengontrol konduktansi antara Source dan Drain. Sinyal input diberikan pada terminal Drain. Sedangkan Substrate atau bulk umumnya dihubungkan dengan Source. Material pada substrate biasanya netral atau didope sedikit.

Umumnya sinyal input diberikan pada terminal Gate. Dalam rangkaian input, terminal Gate dan saluran bertindak seakan-akan bagai kapasitor plat sejajar, dan konduktivitas saluran sanggup diubah oleh tegangan Gate terhadap Source. Untuk kanal-n, tegangan konkret pada Gate menginduksi muatan negatif pada saluran sehingga ada anutan elektron dari Source ke Drain.

Pembiasan JFET (Junction Field Effect Transistor)

JFET tidak bekerja menurut arus listrik melainkan jawaban medan listrik yang terjadi tegangan input ke terminal gerbang (Gate). Medan listrik digunakan untuk mengontrol lebar saluran daerah terjadinya konduksi antara terminal pembuangan (Drain) dan sumber (Source). Sehingga FET akan sangat efektif bila menerima tegangan disamping mempunyai impedansi input yang sangat besar dalam orde MΩ.

Arus Drain melalui satu jenis materi semikonduktor, yaitu tipe-n untuk kanal-n dan tipe-p untuk kanal-p. Pada JFET kanal-n pembawa muatannya ialah elektron bebas, sehingga terminal D harus diberi potensial positif. Selanjutnya JFET kanal-n dibias dengan cara ibarat ditunjukkan pada gambar berikut.

Pembiasan pada JFET kanal-n

Sebagai pendekatan tidak ada arus yang mengalir pada Gate IG = 0, hal ini sebab kendala dalam input JFET = ∞.

Perhatikan lapisan deplesi yang terbentuk jawaban pembiasan, lebar lapisan deplesi ini bervariasi terhadap VDS. Kanal-n tsb akan tertutup yaitu lebar saluran = 0 terjadi pada dikala VDS = Vp (dengan Vp ialah tegangan pinch-off/penjepit) dan untuk VDS > Vp mudah kendala Drain tak berubah.

Baca Juga

Pada JFET, junction field effect transistor, Gate dan saluran membentuk kekerabatan PN konvensional, namun mempunyai kendala dalam besar jawaban bias mundur. Sedangkan pada IGFET, Insulated Gate Field Effect Transistor, atau MOSFET, Metal Oxide Semiconductor FET, mempunyai elektroda yang terpisah dari saluran oleh lapisan tipis SiO2. Tegangan yang diberikan pada Gate sanggup menginduksikan muatan di saluran untuk mengontrol arus Drain. Hambatan dalam inputnya sangat besar dan tidak bergantung pada polaritas tegangan Gate, disamping itu juga relatif tidak terpengaruh oleh suhu.

Ada dua tipe MOSFET yaitu tipe enhancement dan tipe depletion. Pada tipe enhancement arus pada saluran hanya terjadi bila diberi tegangan Gate. Sedangkan pada tipe depletion arus pada saluran sanggup terjadi pada dikala tegangan Gate = 0. Dalam simbul skematik tipe enhancement ditandakan dengan garis putus-putus pada kanal, sedangkan tipe depletion ditandakan dengan garis utuh untuk kanal.

Secara skematik pengelompokkan FET dan peta tegangan output (dengan Source di-ground-kan) diberikan berikut ini.