✔ Kawasan Saturasi Transistor

Daerah Saturasi Transistor Titik saturasi transistor ialah kawasan kerja transistor dimana arus kolektor mencapai nilai maksimum, yaitu arus kolektor ditentukan oleh nilai Vcc dan Rc sebab nilai resistansi kolektor – emitor transistor kondisi minimum (≈ 0) sehingga diabaikan.

Besarnya arus kolektor pada kondisi saturasi ialah :

Untuk mendapat kondisi saturasi pada transistor maka arus basis harus besar yaitu : 

Dalam keadaan saturasi, arus kolektor secara nominal ialah Vcc/Rc, dan sebab Rc ialah beban yang bernilai kecil, maka Vcc perlu dijaga semoga tetap rendah supaya transistor tetap beroperasi dalam batasan arus maksimum dan disipasi daya minimum. Titik saturasi dalam grafik kawasan kerja transistor sanggup dilihat pada grafik berikut.

Grafik Titik Saturasi Pada Daerah Kerja Transistor

Grafik Titik Saturasi Pada Garis Beban Transistor

Resistansi Saturasi 

Untuk transistor yang beroperasi di kawasan saturasi, parameter yang menarik ialah rasio VCE.sat/IC. Parameter ini dinamakan resistansi saturasi common-emitter. Sering juga disimbolkan dengan RCS, RCES, atau RCE.sat. Untuk memilih RCS, kita harus memilih titik mana yang digunakan. 

Resistansi base-spreading rbb’ 

Ingat kembal lebar kawasan basis yang sangat kecil, dimana arus yang memasuki basis melalui junction emitor harus mengalir melalui jalur sempit untuk mencapai terminal basis. Penampang anutan arus di dalam kolektor (atau emitor) jauh lebih besar dari yang ada di basis. Dengan demikian, biasanya resistansi ohmik basis jauh lebih besar dari resistansi ohmik kolektor atau emitor. Resistansi basis ohmik dc yang disimbolkan dengan rbb’, dinamakan resistansi base-spreading, yang mempunyai nilai sekitar 100 Ω. 

Koefisien temperatur tegangan saturasi 

Karena kedua junction mendapat bias maju, maka nilai yang layak untuk V-BE.sat atau VBC.sat ialah –,5 mV/°C. Dalam kawasan saturasi, transistor berisi dua dioda terbias maju yang saling berhadapan. Jadi, efek terhadap tegangan terinduksi-suhu yang ditimbulkan satu dioda pada dioda lain perlu diantisipasi. 

Gain arus DC, hfe 

Satu parameter transistor yang penting ialah IC/IB, dengan IC ialah arus kolektor dan IB ialah arus basis. Besaran ini disimbolkan dengan βdc atau hfe, yang dikenal sebagai (nilai negatif dari) dc beta, rasio transfer arus maju (dc forward current transfer ratio), atau gain arus dc (dc current gain). 

Di dalam kawasan saturasi, parameter hfe sangat penting, dan merupakan salah satu parameter yang tercantum pada lembaran data transistor, kalau menyangkut switching transistor. Kita tahu |IC|, yang pendekatan nilainya diperoleh dari VCC/RL, dan hfe memberitahu kita nilai arus minimum (IC/hfe) yang dibutuhkan untuk menciptakan transistor saturasi. 

Tegangan Saturasi 

Pabrik transistor memilih nilai saturasi tegangan input dan output dengan beberapa cara. Sebagai contoh, mereka sanggup memilih nilai RCS untuk beberapa nilai IB atau mereka menciptakan kurva VCE.sat dan VBE.sat sebagai fungsi IB dan IC. Tegangan saturasi bergantung tidak hanya pada titik operasi, tetapi juga pada materi semikonduktor (germanium atau silikon) dan jenis konstruksi transistor. Nilai tegangan saturasi umum untuk transistor Silikon (Si) ialah 0,2 volt dan nilai tegangan saturasi untuk transistor Germanium (Ge) ialah 0,1 volt. Cukup sekian semoga bermanfaat.

Bagikan Artikel ini